以蚀刻(在蓝宝石C面干式蚀刻/湿式蚀刻)的方式,在蓝宝石基板上设计制作出微米级或纳米级的具有微结构特定规则的图案,藉以控制LED之输出光形式(蓝宝石基板上的凹击图案会产生光散射或折射的效果增加光的取出率),同时GaN薄膜成长于图案化蓝宝石基板上会产生横向磊晶的效果,减少生长在蓝宝石基板上GaN之间的差排缺陷，改善磊晶质量，并提升LED内部量子效率、增加光萃取效率。

作为光复产业最大的设备提供商，GT Advanced Technologies公司正在开发一种新的技术，让蓝宝石的横切面的厚度不人的头发还要薄，这样直接贴合在手机的液晶面板上。  同时GT公司还在过去几年中，通过结晶硅太阳能电池供给切割机电量，由此进一步的降低蓝宝石的制作成本。 
  三氧化二铝在一个特定的熔炉中氧化，通过缓慢冷却结晶行程蓝宝石。而GT公司设计的熔炉可以使他们以更廉价的方式获得更大的晶体，随着技术的进步，产能也随之提高，因此根本无需更换全新的设备。

厦门益唯特专业生产耐高温玻璃/氧化铝玻璃，蓝宝石属于六方晶系，耐高温蓝宝石基片因此晶向指数与晶面指数的标定应分别采用[uvtw]和（hlik）的表示方法。 
对于晶向指数，可以先以a1a2c三坐标系确定出[UVW]，在通过公式 
U=u-t,V=v-t,W=w 
U=(2U-V)/3,v=(2V-U)/3,t=-(u+v),w=W 
换算出[uvtw]，以保证其唯一性。 
对于晶面指数，同样也可以先以a1a2c三坐标系确定出（hkl）再通过i=-（h+k）换算到（hkil）的晶面指数。

对于我们来说，厦门益唯特耐高温玻璃的应用主要研究的是蓝宝石的晶面。常见的蓝宝石密排六方晶胞中的晶面如图3所示。在晶胞中，指数相同的晶面与晶向互相垂直。因此，对蓝宝石来说，与a向垂直的晶面称为a面，与c向垂直的面称为c面，与m向垂直的面称为m面，与r向垂直的面称为r面。蓝宝石晶胞各面的切面图如图4所示。

耐高温蓝宝石基片的参数与成长于一般蓝宝石基板的LED相比,亮度增加了70%以上.目前台湾生产图案化蓝宝石有中美矽晶、合晶、兆晶，兆达.蓝宝石基板中2/4英寸是成熟产品,价格逐渐稳定,而大尺寸(如6/8英寸)的普通蓝宝石基板与2英寸图案化蓝宝石基板处于成长期,价格也较高,其生产商也是主推大尺寸与图案化蓝宝石基板,同时也积极增加产能.目前大陆还没有厂家能生产出图案化蓝宝石基板.